PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.7 12.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.0 9.6

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 38

Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 29
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 12.2
Скорость записи, Гб/сек

10.0 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 2443

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM