RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2534
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link