RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
79
Wokół strony -339% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3814
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link