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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
79
Por volta de -339% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
1,468.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
79
18
Velocidade de leitura, GB/s
3,061.8
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,468.1
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
422
3814
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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