RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2927
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link