RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
49
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2413
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link