RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
69
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3290
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link