RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
59
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2225
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link