RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
4033
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link