RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2732
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link