RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3124
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link