RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3061
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link