RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2825
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link