RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3649
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link