RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3649
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link