RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3683
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link