RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2995
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link