RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3386
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link