RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2690
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link