RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2978
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link