RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4006
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link