RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4112
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link