RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4112
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link