RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3773
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link