RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3576
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link