RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
59
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2324
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link