RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3348
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link