RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
77
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
77
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1549
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link