RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2594
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link