RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2541
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link