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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,241.0
14.5
写入速度,GB/s
1,950.7
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2620
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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