RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
57
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link