RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2734
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link