RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2875
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GSL 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link