RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,096.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
60
Wokół strony -253% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3481
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link