Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 60

Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 2,168.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 5300

Wokół strony 3.17 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

941 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns