Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Razões a considerar
Inmos + 256MB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 60

Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.1 2,168.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

16800 5300

Por volta de 3.17 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Inmos + 256MB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

941 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns