RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
25.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
60
Wokół strony -216% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.3
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
21.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4612
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link