RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
69
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
69
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
1598
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link