RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1426
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
OCZ OCZ2P11502G 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link