RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3537
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link