Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 14.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 77

Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 18.0
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3537

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM