RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4129
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link