RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
77
Por volta de -208% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
19.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
4129
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link