RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3257
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link