RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3132
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link