RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1820
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link