RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1254
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link