RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3876
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link