RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1593
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link