RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
65
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2041
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link