RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3217
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link